国产光刻机迈出实质性一步,28nm纯国产有希望了
来源:百家号发布时间:2022-05-108377浏览
询问 AI近两个多月,很多美企对俄暂停供货或停止服务,尤其是半导体方面更是重点。对此,我们必须引起重视,因为我们的大部分芯片还是依赖进口,在进口商品中排第一。
尽管我们有中芯国际、华虹半导体等晶圆代工企业,但芯片制造的不少设备和材料等依然依赖国外,就连28nm芯片都还不能做到纯国产。不过,这个情况快要改变了。

28nm纯国产芯片有希望了
前些天,俄方面制定了半导体产业发展规划,将于2030年实现28nm自主化生产。对此,有网友还指出俄地区芯片制造太落后了,28nm我们早实现了,14m都量产了。
但殊不知,大陆技术最先进的中芯国际尽管能够生产,但目前还实现不了纯国产化。
虽然中芯国际近两年的业绩不错,抓住了当前的发展重点,大举扩产28nm及以下成熟制程,但在设备等方面依然受到限制,一旦人家扩大制裁范围,就有可能瞬间停摆。

当然,这并不是中芯国的能力不行,而是因为我们国内芯片产业链的整体相对落后。
我们都知道,尽管台积电、三星都已经量产5nm制程,但如今市场上的主流需求依然是28nm芯片。如果28nm制程能够实现全国产化,大部分的芯片就不受限制了。
那么,目前国内28nm纯国产芯片生产线能够实现吗?可以说纯国产有希望了。对于芯片制造来说,最重要的就是要解决前道工序所需要的设备和涉及到的材料国产化。

主要就是八大设备和八大材料。其中八大材料为:硅片、电子特气、光刻胶、光掩膜版、湿电子化学品、CMP抛光材料、靶材、前驱体。除极个别外,大部分可国产化。
沪硅产业能量产硅片,南大光电已解决光刻胶,极个别材料也能解决,限制不了。
还有八大设备:扩散设备、薄膜沉积设备、光刻机、刻蚀机、离子注入设备、CMP抛光设备、清洗和测试设备。从目前情况看,除了光刻机外, 28nm国产都没问题。

国产光刻机迈出实质性一步
简单介绍下国产芯片制造设备进展情况:扩散设备、薄膜沉积设备,北方华创最高可实现14nm工艺;刻蚀机就更没问题了,中微半导体已经实现5nm,台积电都在用。
离子注入设备,中科信、凯世通最高能实现22nm;CMP抛光设备, 国内最好的是华海清科,28nm没问题,清洗设备,北方华创、盛美半导体的技术28nm都可以。
测试设备即前道检测设备,睿励科学已应用在28纳米产品线,14纳米正在验证中。

最主要的光刻机,上海微电子的前道设备最高可达90nm,正在研发28nm光刻机。
从以上情况来看,除光刻机外,国产的设备技术节点都可以达到28nm,有的已经达到14nm。据说,90nm光刻机通过多重曝光也可以做出28nm,只是成本高良率差。
因此,最关键的还是要突破国产28nm光刻机。而光刻机要突破,就要解决四个核心部件,即光源设备、物镜系统、浸液系统和双工件台,其中光源是光刻机最关键设备。

好消息是,北京国望光学有了新进展。两个月前,国望光学的超净室工程开标。近日,又发出招标公告,这意味着开始进入到设备导入阶段,接下来就能实现产品的量产。
国望光学的这个生产基地量产后,将能够推出包括28nm在内的多个光学曝光系统。
一旦国望光学的28nm光学曝光系统实现量产,那么国产28nm光刻机又迈出了实质性的一步,这为实现国产浸润式光刻机解决了一大问题,也就是需求最大的DUV。

还有物镜系统,中科院长春光机所和上海光机所也有了突破性进展。浸液系统,浙江大学实验室和启尔机电进展也不错。还有双工件台,清华大学和华卓精科已经解决。
据专业人士预判,28nm芯片很快纯国产,14nm也不会太远,看来希望越来越近!
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