意法半导体推出第三代碳化硅功率器件 标称额定电压从650V、750V到1200V

据外媒报道，意法半导体公司（STMicroelectronics）推出第三代STPOWER碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET），在电动汽车动力系统，以及其他对功率密度、能源效率和可靠性要求严格的应用中，可用于控制功率。作为SiC功率MOSFET的市场领导者，意法半导体结合领先的新设计技术，以进一步挖掘SiC的节能潜力。

（图片来源：意法半导体公司）

随着电动汽车市场迅猛发展，汽车制造商和供应商纷纷采用800V驱动系统，以加快充电速度，并减轻重量，生产续航更长的汽车。ST的新型SiC器件专门针对这些高端汽车应用进行优化，包括EV牵引逆变器（traction inverter）、车载充电器、DC/DC转换器以及电子气候压缩机（e-climate compressor）。新一代产品也适合工业应用，能够提高工业电机驱动器、可再生能源发电机和存储系统以及电信和数据中心电源的效率。

ST公司已完成第三代SiC技术平台的认证，预计到2021年底，大部分衍生产品将进入商业成熟阶段。这些器件的标称额定电压从650V、750V到1200V，将为设计师提供更多的选择，以满足通过普通交流线路电压到高压EV电池和充电器运行的应用。首批产品是650V SCT040H65G3AG，定价为$5.00；以及750V SCT160N75G3D8AG，定价为$26.00。

ST最新的平面MOSFET为FoMs[导通电阻（Ron）x芯片尺寸和RON x栅极电荷（Qg）]，设定了业界领先的新基准。FoMs是表示晶体管效率、功率密度和开关性能的公认品质因数。利用普通硅技术改进FoMs日益表现出不足之处，因此采用SiC技术是实现进一步提升的关键。

与硅替代材料相比，SiC MOSFET因芯片面积而具有更高的额定电压。因此，该技术将成为电动汽车应用和快速充电电动汽车基础设施的上佳选择。此外，凭借非常快的本征二极管，可以支持车载充电器(OBC)电池向基础设施传输电力。该二极管能够提供OBC所需的双向特性，用于车载V2X（Vehicle-to-X）能流。而且，受益于超高频能力，电力系统中可以使用更小的无源器件，这使车辆中的电气设备更紧凑、更轻。在工业应用中，这也降低了拥有成本。

意法半导体将提供各种形式的第三代器件，包括裸芯片、分立电源封装（如STPAK、H2PAK-7L、HIP247-4L和HU3PAK），以及包括ACEPACK在内的电源模块。这些套件具有创新设计特征，如在电动车应用中特别放置的散热片，简化了与底板和散热器的连接。这使设计人员可以优化应用，如电动汽车主牵引逆变器、电子气候压缩机、车载充电器（OBCs）、DC/DC转换器，以及太阳能逆变器、储能系统、电机驱动和电源等工业应用。