芯联集成发布3300V碳化硅器件，已送样核心客户

近期，芯联集成对外宣布，借助其自主研发的8英寸碳化硅工艺平台，公司正式发布了3300V碳化硅MOSFET产品。据悉，这款新产品主要针对固态变压器等具备高压、高功率密度以及高可靠性要求的应用场景进行了定制化设计，并且目前已经向核心客户发送样品进行验证。目前，该企业已经完成了从650V到3300V全电压段的碳化硅MOSFET产品布局，其8英寸碳化硅生产线也已实现大规模量产。

在技术层面，该器件采用了8英寸产线自主研发的高压平面栅碳化硅MOSFET技术。通过缩小单元面积以及优化导通电阻与栅电荷的乘积优值，该产品成功实现了导通性能与开关性能的平衡。此外，为了进一步完善固态变压器的供应链，芯联集成还计划推出与该3300V器件相匹配的高频、高耐压且高功率密度的磁性器件。

在实际应用效益方面，以10kV中压固态变压器前端为例，与传统的1200V方案相比，使用3300V器件能够将母线电压提高至1800到2200V，并使级联数量减少大约60%。同时，功率单元和MOSFET的使用总量也会同步降低60%，外围器件减少约70%，从而大幅简化印制电路板设计。这不仅降低了控制与装配成本，还使得综合系统级物料清单成本下降了20%至35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积及更高转换效率的发展提供了关键支撑。

据芯联集成指出，伴随生成式人工智能算力需求的不断攀升，单个人工智能机柜的功率密度正朝着兆瓦级别发展。此前英伟达宣布推动人工智能数据中心供电架构向800V高压直流电演进，使得固态变压器成为该领域的关键环节。此外，在智能电网与新能源领域，固态变压器同样具备重要的应用价值。随着相关市场的逐步扩大，高压碳化硅器件的量产需求将变得更加清晰。