旺宏6寸晶圆厂车用对照组 朋程与强茂各掌控茂矽

半导体厂旺宏6吋晶圆厂出售一事，在车用功率器件的布局早有对照组。二极体厂朋程与强茂各掌控茂矽20%以上股份，两大股东都把车用绝缘栅双极电晶体(IGBT)或第三代碳化矽(SiC)功率元件视为未来发展的重点，茂矽很难不为其量身打造。

若旺宏6吋厂透过交易跨足汽车领域，在台湾已有“对照组”可以用来评估整体未来发展蓝图。茂矽两大股东朋程及强茂各占20%以上股份，且均将车用IGBT及SiC视为未来发展重点，市场预估，这将左右茂矽未来发展。

业者指出，就纯电动车(BEV)来看，目前最关键的马达驱动逆变器部分，由于电流、电压及温度的挑战高，所以率先采用SiC MOSFET的Tesla，在2020年Model 3热销的同时，也验证其在汽车领域可用性并开启康庄大道。

不论如何，其他BEV积极将原本的IGBT设计换成SiC MOSFET，拉升马达运作效率之余还可达到轻量化。BEV不再盲目追求锂电池高能量密度，却可能面临自燃机率等问题。值得一提的是，率先将SiC MOSFET导入汽车，展现技术雄心的是丰田汽车(Toyota)，因考量SiC的材料取得不易，怕影响后续量产而脚步延宕。

车用产业链也因此快速朝SiC布局，Tesla目前的供应商意法半导体(STM)、英飞凌(Infineon)等成为热门合作对象。而中国比亚迪宣称自产为主，其他造车新势力，以及欧、日系车等也积极导入，如2019年福斯汽车(Volkswagen)与Cree的结盟，便掀起SiC战略物资保卫战。

IGBT发展历史较久，仍具有相当技术突破潜力。全球SiC产业链发展仍未成熟，成本仍然相当高，中媒预估，以相同性比较，SiC MOSFET的价格高出IGBT约10倍。市场认为，SiC MOSFET在未来车的主战场仍以关键的马达驱动逆变器为主，如车载充电器(OBC)或充电桩等区域，仍因IGBT较具性益比优势，短期不易有异动。

随著BEV的快速成长，IGBT及SiC MOSFET就是未来的关键功率元件。包括朋程、强茂都积将其纳入未来发展的蓝图，如果旺宏6吋厂未来也因为出售而间接加入汽车领域，代表台湾在车用功率元件领域将有更上一层楼的表现。值得关注的还有，鸿海投资的济南富能也是以SiC为主。

台湾半导体产业发展全球有目共赌，但功率元件发展与欧美日等一直有不小的距离。就未来车来看，台湾需要加大马力补足这一环。以中、高压1700伏以上的IGBT观察，目前应用在高铁、汽车电子、智慧电网等，主要供应商为英飞凌、三菱电机(Mitsubishi Electric)、ABB为主；600伏低压消费性电子则以安森美(ON Semiconductor)为主。若加计IGBT举足轻重的富士电机(Fuji Electric)，上述5家业者在全球IGBT 的市占率达7成以上。

此外，由于半导体及汽车都被列入中国战略发展，因此车用IGBT与SiC更是焦点。中国拥有可观的汽车内需市场，自我练兵场规模庞大。有鉴于SiC等第三代半导体发展仍不成熟，美国尚无法透过设备掌控，中国政府近期加码，计划一举突破半导体被贸易战所束缚的困境。