绝缘体上硅(SOI)是指在一绝缘衬底上再形成一层单晶硅薄膜，或者是单晶硅薄膜被一绝缘层(通常是SiO2)从支撑的硅衬底中分开这样结构的材料、这种材料结构可实现制造器件的薄膜材料完全与衬底材料的隔离。SOI技术可以改善芯片性能，降低漏电，以及减少芯片功耗。随着微处理器（CPU）、图形芯片（GPU）制程对绝缘层上覆硅技术（SOI）需求愈来愈强，SOI已成各大芯片代工角逐核心客户青睐的武器。

联电表示，借助SOI技术，旗下65nm工艺晶圆更加紧凑，芯片切割率可以比无SOI技术的65nm晶圆提升25%，同时联电65nmSOI技术的芯片功耗可以降低30%，联电65nmSOI技术的芯片工作频率可以最大提升28%，联电65nmSOI技术的芯片的生产成本可以降低10%。

联电目前也是除TMSC台积电之外，全球第2大芯片代工厂商。