近日，美光科技宣布即将开始量产其最新的12层堆栈高带宽内存（HBM），并与领先的AI半导体巨头英伟达达成了供应合同。

据悉，美光在去年9月就完成了12层堆栈HBM的开发，并向包括英伟达在内的多家客户展示了样品。在2月14日由Wolfe Research主办的一场活动中，美光首席财务官Mark Murphy重点介绍了这款产品的优势。他透露，与竞争对手的8堆栈产品相比，12堆栈HBM的功耗降低了20%，容量则增加了50%。

HBM技术的核心优势在于其能够垂直堆叠DRAM芯片，从而大幅提升数据处理速度和带宽。这对于需要处理大量数据的AI应用来说至关重要。

美光科技显然已经抓住了这一机遇，准备凭借其12层堆栈HBM引领市场潮流。三星电子目前才刚刚开始进入8叠层产品的小规模量产阶段，尚未通过12叠层产品的测试。据称，三星计划在月底向英伟达发送12层堆栈HBM的样品，但最终交付仍需获得批准。这种延迟可能会对其在市场上的竞争地位产生不利影响。

与此同时，SK Hynix也在加快开发HBM4以满足英伟达的要求，并计划在今年内完成。而三星也瞄准了年内量产HBM4的目标，并计划应用10纳米级第六代（1c）DRAM。