美国创企在CMOS晶圆工艺中实现石墨烯的晶圆级合成
来源:ictimes 发布时间:2024-12-11 分享至微信

美国初创公司Destination 2D在300毫米CMOS晶圆工艺中实现高质量石墨烯的晶圆级合成,其表示,这是主流半导体产品中的第一种二维(2D)材料。


传统大面积石墨烯合成需通过化学气相沉积(CVD),其高温超出了CMOS互连制造的热预算。Destination 2D采用压力辅助固相扩散技术,在CMOS兼容温度下直接在介电基底上合成多层石墨烯,实现了低电阻率、高可靠性的互连设计,并比铜互连节能高达80%。


Destination 2D的技术避免了石墨烯在CMOS应用中的热问题,无需将石墨烯从金属基板机械转移到介电基板。该公司的首席技术官Kaustav Banerjee教授及其团队实验验证了这一理论,并开创了相关技术。由Dave Silvetti领导的设备工程团队正在将前沿的CMOS工艺技术设备设计投入大规模生产,首先推出的是CoolC GT300,实现了Destination 2D的专有石墨烯合成工艺。


“Destination 2D使用与BEOL兼容的低温无转移工艺实现的晶圆级石墨烯覆盖,标志着CMOS行业的一个重要里程碑,”Destination 2D的首席执行官Ravi Iyengar说,“Destination 2D的互连技术——当集成在逻辑和存储芯片中时——可能会深刻地改变人工智能和其他计算密集型应用的前景。”


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