比利时微电子研究中心（Imec）宣布，在CMOS试点线上成功制造了基于GaAs的电驱动多量子阱纳米脊激光二极管，该二极管在300毫米硅片上完全单片制造，标志着硅光子学领域的重要突破。

这一成果在《自然》杂志上发表，实现了阈值电流低至5mA、输出功率超过1mW的室温连续波激光发射。

该突破证明了在硅上直接外延生长高质量III-V材料的潜力，为开发经济高效、高性能的光学设备提供了新途径，应用于数据通信、机器学习和人工智能等领域。

imec科学总监Kunert表示，imec利用纳米脊工程概念，在标准300mm硅片上首次展示了全晶圆级制造电泵浦GaAs激光器。

该激光器集成了InGaAs多个量子阱作为光增益区域，实现了室温连续波操作，阈值电流低，斜率效率高，光功率强，展示了高性能硅集成光源的可扩展路径。

硅光子学研究员Van Campenhout指出，在大直径硅片上经济高效地集成高质量的III-V增益材料是下一代硅光子学应用的关键。