SK海力士量产321层NAND,三星面临更大竞争压力
来源:ictimes 发布时间:2024-11-26 分享至微信
SK海力士已开始量产321层1Tb TLC 3D NAND Flash产品,这可能会对三星电子的业界领先地位构成威胁。
此前,SK海力士已在HBM领域超越三星,并在DRAM技术上取得领先。此次,SK海力士在NAND技术堆叠竞争中超越三星,显示出三星的竞争劣势正在扩大。
尽管SK海力士在NAND市占率上仍落后于三星,但其在垂直堆叠单元的堆叠技术方面处于领先地位。SK海力士的321层NAND产品相比前一代,数据传输速度和读取效能分别提升了12%和13%,数据读取功耗效率也改善了超过10%。
随着数据中心的高效能企业级SSD需求激增,NAND产品市场受益,SK海力士也是受益者之一。2024年第3季,SK海力士的eSSD营收年增幅度高达430%,占SSD总营收的60%。
韩国业界预计,随着激烈的叠层竞争,2025年将迎来400层NAND时代,而三星、SK海力士和美光都计划在2025年推出400层等级的NAND产品。未来,NAND市场将迎来更多变化和挑战。
[ 新闻来源:ictimes,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论
暂无评论哦,快来评论一下吧!
ictimes
聚焦于半导体行业芯闻
查看更多
相关文章
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存
2024-11-22
再次领先业界,SK海力士宣布量产321层TLC 3D NAND
2024-11-22
SK海力士推出全球领先321层1Tb TLC 4D NAND Flash
2024-11-24
特斯拉抢购HBM4芯片,三星和SK海力士竞争供应
2024-11-20
SK海力士减产DDR4应对中国竞争,三星亦受影响
2024-11-06
热门搜索