2024年11月21日，SK海力士公司宣布了一项重大技术突破，即开始量产全球首款321层1Tb（太比特）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存。

SK海力士此次量产的321层NAND闪存，采用了先进的“3-Plug”工艺技术，这一技术突破了堆叠极限，使得存储单元能够在有限的空间内实现更高的存储效率。与上一代238层NAND闪存相比，321层产品在数据传输速度、读取性能以及数据读取能效上均有显著提升。

具体来说，数据传输速度和读取性能分别提高了12%和13%，数据读取能效也提高了10%以上。

此外，SK海力士在产品开发过程中，还引入了低变形材料和通孔间自动排列（alignment）矫正技术，进一步提高了产品的可靠性和稳定性。同时，该公司将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层产品的开发，最大限度地减少了工艺变化，使得生产效率提升了59%。

SK海力士表示，计划从明年上半年起向客户提供321层NAND闪存产品，以满足市场对高性能、高容量存储解决方案的需求。这款产品的推出，将广泛应用于存储卡、USB驱动器、固态驱动器（SSDs）和智能手机等领域，为用户提供更快的数据传输速度和更大的存储容量。

特别是在AI领域，321层NAND闪存将发挥重要作用。SK海力士计划以这款产品积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。随着AI技术的不断发展，对存储器的需求也在不断增加。SK海力士的321层NAND闪存将为AI数据中心、端侧AI等存储市场提供有力支持。