SK海力士于21日宣布，公司成功量产了业界最高层次的321层1Tb TLC 4D NAND Flash。这项突破性技术将从明年上半年开始向市场供应，满足日益增长的数据存储需求。

此次新产品的发布标志着SK海力士在NAND Flash领域的再次领先。自2023年6月推出238层NAND Flash后，SK海力士迅速突破技术瓶颈，成功研发出321层NAND Flash。

该技术采用了先进的“3-Plug”工艺，不仅解决了堆叠限制，还显著提高了生产效率。通过优化通孔连接工艺和引入自动排列矫正技术，新产品在相较于上一代的基础上，生产效率提升了59%。

321层NAND Flash在数据传输速度、读取性能和能效方面均实现了大幅提升。数据传输速度提高了12%，读取性能提升了13%，而读取能效则提升了超过10%。这使得它在低功耗、高性能的AI数据中心和终端应用中展现出巨大的潜力。

SK海力士副社长崔正达表示，推出321层NAND Flash是为了抢占AI市场，特别是数据中心和AI终端存储领域的领先地位。随着技术的不断进步，SK海力士将继续推动AI相关存储技术的发展，成为全方位的AI存储解决方案供应商。