镓仁半导体技术突破:成功生长出2英寸N型氧化镓单晶
来源:ictimes 发布时间:2024-12-02 分享至微信
11月29日,镓仁半导体宣布,通过直拉法生长技术,成功生长出2英寸N型氧化镓单晶,并制备出2英寸晶圆级N型(010)晶面氧化镓单晶衬底,其平均电阻率小于30mΩ·cm,电阻率均匀性小于5%。
镓仁半导体专注于直拉法氧化镓晶体生长技术的研发,今年已实现2英寸UID和半绝缘直拉晶体的技术突破,并解决了(010)晶面衬底加工技术难题,成为唯一的2英寸(010)晶面衬底产品供应商。在中试阶段,镓仁半导体通过工艺革新,提高了放肩和等径生长的稳定性,成功制备出导电型氧化镓单晶,克服了Sn掺杂高挥发的缺陷。
(010)晶面因其物理特性和外延表现而备受青睐,具有最高的热导率,有利于提升功率器件性能,且外延容许生长速率快,符合产业化需求。基于(010)晶面制备的器件性能也更为优异。
在国内,富加镓业于9月12日宣布,其6英寸氧化镓单晶及外延片生长线已在杭州富阳开工建设。国外方面,日本东北大学成立的FOX公司,目标是低成本大规模生产β-氧化镓(β-Ga2O3)晶片,采用无贵金属单晶生长技术,旨在以低于碳化硅的成本生产出低缺陷程度与硅相当的β-氧化镓衬底。
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