11月15日，镓仁半导体宣布其氧化镓二期工厂正式投入使用，这一进展为公司在宽禁带半导体领域的布局注入了强劲动力。新工厂引进了多项先进的产业化设备，将极大提升氧化镓晶圆衬底和外延片的生产能力，以应对全球市场日益增长的需求。

这座二期工厂不仅进一步优化了现有生产工艺，还首次引入了镓仁自主研发的垂直布里奇曼法（VB法）氧化镓专用长晶炉。作为全球公认的氧化镓产业化关键技术，垂直布里奇曼法的应用使镓仁半导体成为国内唯一能提供此类设备的供应商，技术优势明显。

资料显示，镓仁半导体成立于2022年9月，目前坐落于杭州市萧山区机器人小镇，是一家专注于宽禁带半导体材料（氧化镓等第四代半导体）研发、生产和销售的科技型企业。

值得一提的是，镓仁半导体在今年取得了一系列突破。自4月以来，公司已成功实现了2英寸、3英寸甚至6英寸氧化镓衬底的自主量产，这些成就不仅打破了国际技术壁垒，也为国内半导体产业注入了新的活力。