福建晶旭半导体氧化镓外延生产基地将投产
来源:ictimes 发布时间:2024-12-12 分享至微信

福建晶旭半导体有限公司正在积极推进其总投资达16.8亿元的二期项目,该项目占地136亩,将打造全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线。


项目完工后,不仅能显著提升高频滤波器芯片产能,还将填补国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的技术空白,为上杭县新材料产业注入强劲动力。


据悉,晶旭半导体现有的年产能为75万片的氧化镓外延生产基地已完成主体封顶,预计将在明年实现初步生产。这一进展标志着中国在5G射频滤波芯片领域的自主创新迈出了重要一步。


作为一家采用IDM模式运行的高新技术企业,晶旭半导体专注于5G通信中高频体声波滤波芯片(BAW)的研发,其核心技术基于单晶氧化镓压电材料,拥有完全自主知识产权,已获得100余项国内外发明专利。晶旭的芯片关键性能比国外同类产品提升超过20%,并通过多家知名客户验证,为解决我国5G芯片领域的“卡脖子”问题提供了重要支撑。


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