国宇电子功率芯片项目落户扬州,总投资11亿元
来源:ictimes 发布时间:7 小时前 分享至微信
扬州经济技术开发区(经开区)近日成功签约了两个央企合作项目,总投资额达36亿元人民币,其中包括扬州国宇电子功率芯片项目。该项目由扬州国宇电子有限公司投资,总投资额为11亿元人民币,其中一期项目投资额为5.8亿元,设备投资额为3亿元。
国宇电子功率芯片项目计划在现有厂区内扩建分立器件功率芯片生产线,并建设6英寸功率FRED芯片生产线,年产能规划为48万片。项目达产后,预计年开票销售额将达到10亿元人民币,年净利润1.4亿元,纳税额为5000万元。二期项目将进一步规划生产IGBT、硅基GaN等高功率半导体芯片。
扬州国宇电子有限公司成立于2006年,是国基南方集团有限公司的控股子公司,专注于分立器件功率芯片的产品设计、制造和销售。此次项目的签约标志着扬州在功率半导体领域的发展迈出了重要一步,有助于推动地区经济的高质量发展,并为相关产业提供强有力的技术支持和产能保障。
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