国宇电子硅基GaN芯片项目签约扬州
来源:ictimes 发布时间:5 小时前 分享至微信
2024年11月12日,扬州经济技术开发区举行了2024(北京)经济社会发展汇报会,宣布成功签约两项央企合作项目,项目总投资达到36亿元。
此次签约的亮点之一,是中国电子科技集团与绿投集团共同投资的国宇电子功率芯片项目,计划通过建设先进的硅基GaN(氮化镓)芯片生产线,推动我国半导体行业的快速发展。
该项目分为两期,首期投资额为5.8亿元,将在现有厂区扩建生产线,专注于6英寸功率FRED芯片的生产,年产能力可达48万片。项目达产后,预计年开票10亿元,年净利润1.4亿元,税收贡献5000万元。二期项目则将进一步扩展,涵盖IGBT、硅基GaN等高功率半导体芯片的生产。
国宇电子作为半导体行业的先行者,长期专注于高端芯片研发,产品广泛应用于家电、汽车电子、工业控制等领域。此次项目的启动,标志着中国在半导体产业链中的关键环节正迎来新突破,具有重要的战略意义。
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