在2024德国慕尼黑半导体展览会（Semicon Europe 2024）上，天岳先进展示了其全系列碳化硅（SiC）衬底产品，并在11月13日推出了12英寸（300mm）N型碳化硅衬底。

12英寸碳化硅衬底能够显著扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量，降低单位成本，提高经济效益，为碳化硅材料的大规模应用提供了新的可能性。

天岳先进还宣布，公司已向客户成功交付了高质量低阻P型碳化硅衬底，这将加速高性能SiC-IGBT的发展，推动高端特高压功率器件国产化。针对P型碳化硅单晶衬底存在的技术难题，如成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等，天岳先进采用液相法技术，于2023年发布了8英寸碳化硅晶体，并在2024年推出了4度偏角P型碳化硅衬底。

液相法在生长高品质晶体方面具有优势，能够生长出超高品质的碳化硅晶体。天岳先进在液相法领域取得了低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体成果。其液相法制备的P型4度偏角碳化硅衬底电阻率小于200mΩ·cm，面内电阻率分布均匀，结晶性良好，这些特性对于高压大功率电力电子器件至关重要。