三星加码半导体投资,布局高频宽存储器扩产
来源:ictimes 发布时间:1 天前 分享至微信
近日,三星宣布计划在韩国天安市对其未充分利用的液晶显示器工厂进行改造,建设先进的半导体制造设施,专注于高频宽存储器(HBM)封装产线的扩建。这项投资将进一步强化三星在全球半导体市场的竞争力,尤其是在人工智能(AI)相关产品的需求日益增长之际。
此次扩建项目预计将于2027年底完成,得到了韩国政府的支持,提供了行政和财政上的帮助。这一新的产线将专注于提升HBM芯片的生产能力,以应对日益上涨的市场需求。HBM芯片在AI计算中扮演着至关重要的角色,而目前该领域正面临供不应求的局面。
尽管三星曾在HBM领域面临一定挑战,特别是因为质量问题推迟了与英伟达的第五代HBM3E芯片供应计划,但公司的新计划显然是为了追回市场份额。三星存储器业务高层表示,第四季度将推出其最先进的HBM3E芯片,并在与客户的认证过程中取得了重要进展。
然而,三星近期股价的下滑不容忽视,已连续四日跌至四年多来的最低点,且今年的累计跌幅达34%。与此相比,SK海力士和英伟达股价均有所上涨,显示出竞争对手的优势。尽管面临这些挑战,三星此举无疑是为了反击市场困境,争取在全球半导体产业中的主导地位。
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