三星电子在存储器领域再度发力，其第五代10纳米级（1b）DRAM的良率已突破60%，但遗憾的是，这款DRAM并未被设计用于高频宽存储器（HBM）产品线，错失了在HBM领域的一大机遇。然而，面对中国厂商的激烈竞争，三星并未停下脚步，而是选择利用1b DRAM产品的优势，进一步巩固其在存储器市场的地位。

为了追赶在HBM领域遥遥领先的SK海力士，三星存储器部门近期成立了高频宽存储器团队，由执行副总裁兼DRAM产品与科技长Hwang Sang-joon亲自挂帅。这一新团队的成立，标志着三星在HBM领域的布局进一步加速。值得注意的是，这已经是三星自今年1月启动HBM任务团队以来，成立的第二个聚焦于HBM的小组，足见其对HBM市场的重视程度。

三星在HBM市场的野心不仅仅体现在团队的组建上，更体现在其“双轨”策略上。三星计划同时开发HBM和Mach-1两种尖端存储器芯片，以争夺AI芯片市场的领先地位。预计在今年下半年，三星将量产HBM3E，并在2025年投产下一代HBM4。HBM3E作为针对AI应用的最佳DRAM，将助力三星在AI存储器市场占据一席之地。

除了HBM3E，三星还在研发下一代用于AI推理的加速器Mach-2，并已经与Naver公司达成协议，预计年底开始供应Mach-1。这一合作不仅为三星带来了高达1兆韩元（约7.52亿美元）的合约金额，更让Naver有望显著降低对英伟达的依赖，实现双赢。

在产能方面，三星也给出了积极的预期。Hwang在《Memcon 2024》会议上表示，预计今年三星的HBM产能将增长2.9倍，远超之前预测的2.4倍。同时，三星还发布了HBM技术路线图，预计到2026年HBM出货量将比2023年高出13.8倍，2028年的年产出将比2023年多出23.1倍。