三星新半导体研发园区11月中旬启用,加速次时代存储器开发
来源:ictimes 发布时间:2024-11-05 分享至微信
三星电子的未来半导体技术研发新园区NRD-K将于11月中旬正式启用,并计划从11月起导入最先进设备,加速1d DRAM、3D NAND Flash等新一代存储器开发。
该园区位于韩国器兴,预计将成为集研发、生产和销售于一体的综合型设施,三星计划2030年前投入20万亿韩元(约145亿美元)。
NRD-K园区的启用标志着三星在次时代半导体技术领域的积极投入。目前,三星正在开发多项先进半导体技术,包括CXL、存储器处理器、矽光子、背面供电技术等。未来,NRD-K园区的主要目标很可能包括1d DRAM和堆叠500层以上的3D NAND。
尽管面临市场挑战,三星会长李在熔曾亲自视察NRD-K园区的建设现场,强调维持技术领先者地位的重要性。
业界人士指出,虽然设备移入时间稍有延迟,但三星对设备的引进相当积极。预计NRD-K园区的全面营运将在2025年,目前还有部分建筑的使用尚待完成法律认证。
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