三星电子的未来半导体技术研发新园区NRD-K将于11月中旬正式启用，并计划从11月起导入最先进设备，加速1d DRAM、3D NAND Flash等新一代存储器开发。

该园区位于韩国器兴，预计将成为集研发、生产和销售于一体的综合型设施，三星计划2030年前投入20万亿韩元（约145亿美元）。

NRD-K园区的启用标志着三星在次时代半导体技术领域的积极投入。目前，三星正在开发多项先进半导体技术，包括CXL、存储器处理器、矽光子、背面供电技术等。未来，NRD-K园区的主要目标很可能包括1d DRAM和堆叠500层以上的3D NAND。

尽管面临市场挑战，三星会长李在熔曾亲自视察NRD-K园区的建设现场，强调维持技术领先者地位的重要性。

业界人士指出，虽然设备移入时间稍有延迟，但三星对设备的引进相当积极。预计NRD-K园区的全面营运将在2025年，目前还有部分建筑的使用尚待完成法律认证。