三星电子宣布，计划到2030年投资约20万亿韩元，在器兴园区内建设新的半导体研发综合体（NRD-K），占地面积约109,000平方米。该综合体将包括一条研发专用生产线，预计于2025年中期投入运营。

NRD-K将成为三星存储器、系统LSI和代工半导体研发的重要研究基地，配备HighN EUV光刻和新材料沉积设备，旨在加速开发下一代存储器半导体，如具有1,000层以上的3D DRAM和V-NAND。

三星在首尔南部的器兴园区是1992年世界上第一颗64兆位DRAM的诞生地，新研发设施的建立将带来工艺技术和制造工具的最新发展，延续该基地在创新前沿的传统。

此外，三星电子正在扩大对韩国本土和海外生产基地的投资，以加强其先进的半导体封装业务。随着HBM4等下一代高带宽内存产品的内部封装工艺的重要性不断增加，三星正致力于增强其封装能力。

据业内消息人士报道，三星电子签署了价值约200亿韩元的合同，以扩大其中国苏州工厂（SESS）的生产设施。苏州工厂是三星电子唯一的海外测试和封装生产基地，此举被视为封装工艺和生产效率创新的选择。

三星也在加速扩大韩国本土封装生产基地，并计划在日本横滨的先进封装实验室（APL）运营，专注于高价值芯片技术用于下一代HBM、AI和5G移动通信。

三星的封装基地扩张策略旨在缩小与HBM龙头SK海力士的差距，随着主堆栈从现有的8层变为12层，下一代产品HBM4所需的封装方法正在发生变化。三星希望通过第6代HBM实现扭亏为盈，因此将继续努力扩大封装技术和量产能力的差距。