三星电子已确定韩国平泽四厂（P4）第一阶段生产线将量产先进NAND Flash和DRAM，并将生产线名称从P4F改为P4H。

P4H生产线预计NAND月产能为1万片，已投资5000片月产能，并计划年底前再投资5000片。同时，三星将在天安市建立韩国最先进、最大规模的半导体封装厂，预计2024年12月至2027年12月间完成，用于生产HBM等产品。

据韩媒报道，三星工程师正忙于安装P4H生产线相关设备，该生产线将同时生产NAND和DRAM，最先进DRAM月产能至少达3万至4万片。然而，由于市场前景未明，三星的QLC V9 NAND等先进NAND量产计划已搁置。

此外，韩国业界推测，关于三星新投资决定，将等到2025年中才会有结果。