三星电子近日宣布对其位于平泽园区的P4产线进行重要调整。根据韩国媒体ZDNET Korea的报道，三星已经决定将第一阶段（Phase 1）产线的生产方向从单纯的NAND Flash转变为同时生产NAND Flash和DRAM，以期更灵活地应对日益复杂的半导体市场。

这次调整的核心在于对产线代号的更新。原本的“P4F”产线，象征着NAND Flash的生产，而现在变更为“P4H”，其中“H”代表“Hybrid”，表明该产线将实现NAND Flash与DRAM的混合生产。三星的这一战略调整，无疑是为了在DRAM和闪存市场的激烈竞争中占据一席之地。

三星计划到年底前将NAND Flash生产能力提升至每月1万片晶圆，然而，由于市场环境的不确定性，V9 QLC NAND产品的进一步投资计划可能要推迟到2025年中。而在DRAM方面，P4产线第一阶段预计每月将生产3至4万片晶圆，采用最新的10纳米级1a、1b制程，以确保在技术上不落后于竞争者。

这次产能调整体现了三星积极布局未来的决心，也为应对全球半导体行业的变化提供了灵活的生产能力。随着三期DRAM产线的逐步建设，三星的竞争力必将进一步加强，尤其是在DRAM和闪存市场的双重发力下，三星在全球半导体领域的领导地位将更加稳固。