三星电子正在加紧推进其下一代存储技术的研发。根据最新消息，三星计划在2024年第一季度完成平泽P2工厂的10纳米级第七代DRAM测试线建设，旨在加速下一代存储芯片的量产准备。这一新测试线将成为检验新产品量产潜力的重要设施，每月处理约10,000片晶圆，预计将为第七代DRAM的大规模生产提供关键支持。
与之并行，三星在平泽P4工厂正加速第六代DRAM的量产准备，目标是在明年5月前获得内部量产批准（PRA）。为确保新产品顺利进入市场，三星已派遣相关专家加强工厂的技术支持，确保良率提高，顺利推动第六代和第七代产品的生产进程。
这一战略布局展现了三星电子在存储市场的雄心。提前为第七代DRAM铺设生产线的举措，被业内视为一种“激进的投资”策略，显现出三星在重新夺回市场领导地位的决心。随着技术不断突破和生产能力的提升，三星希望通过加速新产品的研发和量产，提前占领市场，确保在未来几年的存储市场中继续保持领先地位。
