三星电子设备解决方案（DS）部门首席技术官Song Jae-hyuk近期对外释放了积极信号，不仅对公司股价表达了坚定信心，称“低迷只是暂时的，只需一年即可恢复”，还透露了下一代DRAM和NAND闪存技术的开发进展，均按照既定时间表稳步推进。
在DRAM领域，Song Jae-hyuk指出，面对小型化带来的挑战，三星电子正在积极攻克10纳米以下DRAM所需的关键技术。随着DRAM电路的线宽逐渐逼近并低于10nm，传统结构已难以满足小型化的需求，因此，三星电子正在探索并开发全新的结构（VCT）及基础技术。
值得一提的是，在小于10nm的范围内，存储数据的单元将采用垂直堆叠的方式，这无疑是内存技术的一次重大革新。而为了实现这一技术突破，三星电子正在全力推进“低温结”和“键合”技术的研发，这两种技术被视为新结构不可或缺的基石，且均按计划顺利进行。
Song Jae-hyuk透露，下一代NAND产品V10的开发正在有条不紊地进行中，有望如期达到预定的性能标准。
