三星电子:下一代DRAM和NAND闪存开发顺利进行
来源:ictimes 发布时间:2024-11-28 分享至微信
三星电子设备解决方案(DS)部门首席技术官Song Jae-hyuk近期对外释放了积极信号,不仅对公司股价表达了坚定信心,称“低迷只是暂时的,只需一年即可恢复”,还透露了下一代DRAM和NAND闪存技术的开发进展,均按照既定时间表稳步推进。
在DRAM领域,Song Jae-hyuk指出,面对小型化带来的挑战,三星电子正在积极攻克10纳米以下DRAM所需的关键技术。随着DRAM电路的线宽逐渐逼近并低于10nm,传统结构已难以满足小型化的需求,因此,三星电子正在探索并开发全新的结构(VCT)及基础技术。
值得一提的是,在小于10nm的范围内,存储数据的单元将采用垂直堆叠的方式,这无疑是内存技术的一次重大革新。而为了实现这一技术突破,三星电子正在全力推进“低温结”和“键合”技术的研发,这两种技术被视为新结构不可或缺的基石,且均按计划顺利进行。
Song Jae-hyuk透露,下一代NAND产品V10的开发正在有条不紊地进行中,有望如期达到预定的性能标准。
[ 新闻来源:ictimes,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论
暂无评论哦,快来评论一下吧!
ictimes
聚焦于半导体行业芯闻
查看更多
相关文章
三星电子押注下一代内存技术,瞄准AI设备市场
2024-12-12
三星电子新研发园区启动,加强下一代存储器技术竞争
2024-11-06
三星电子成功开发400层NAND技术
2024-12-10
热门搜索