三星电子加速HBM内存研发,力拼英伟达等大客户需求
来源:ictimes 发布时间:2 天前 分享至微信
近日,三星电子内存业务副总裁Kim Jae-june在第三季度财报公布后的电话会议上透露了公司HBM(高带宽内存)业务的最新进展。
据Kim Jae-june透露,三星电子目前正在量产8层和12层的HBM3E产品,并且已经取得了“主要客户”在质量测试方面的“有意义进展”。这一“主要客户”极有可能指的是GPU巨头英伟达,因为英伟达一直是HBM内存的重要用户。
不仅如此,三星电子还在努力扩大8层和12层HBM3E芯片的销售范围,向多个客户供货。同时,公司还在不断改进HBM3E,以满足一家大客户的下一代GPU计划,这无疑进一步增强了三星电子与英伟达等大客户之间的合作关系。
然而,在HBM内存领域,三星电子也面临着来自SK海力士和美光等竞争对手的压力。目前,三星电子的HBM3E产品完全依赖于其14nm级(即1a nm)DRAM,而SK海力士和美光的产品则基于更先进的1b DRAM工艺。这在一定程度上限制了三星电子在HBM内存领域的竞争力。
但三星电子并未就此止步。据透露,公司正在积极开发第6代HBM4产品,并计划从明年下半年开始批量生产。
[ 新闻来源:ictimes,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论
暂无评论哦,快来评论一下吧!
ictimes
聚焦于半导体行业芯闻
查看更多
相关文章
三星加速1c DRAM研发,力拼HBM4翻身
2024-10-28
TEL韩国第三研发中心落成,就近服务三星电子等客户
2024-10-28
消息称三星电子大幅下调HBM内存产能规划
2024-10-13
三星电子加速12层HBM4开发,争夺市场份额
2024-10-25
热门搜索