三星将引进High-NA EUV设备,加速1纳米级商用化研发
来源:ictimes 发布时间:2024-10-31 分享至微信

据悉,三星电子将于2025年初从荷兰ASML引进High-NA EUV设备,以加速2纳米以下先进制程的研发。High-NA EUV能够绘制更细微电路,有助于提升CPU或GPU等系统半导体的效能,并且减少曝光次数,降低生产成本。


业界预期,三星引进High-NA EUV设备后,将正式启动1纳米级的商用化研发。据韩媒报道,三星计划将引进的EXE:5000微影设备用于研究,并考虑进一步引进专用量产设备。


尽管三星引进High-NA EUV设备的时间相对较晚,但谁能够稳定量产或许才是胜出的关键。


台积电和英特尔也正在投入2纳米以下先进制程的竞争,并已分别引进High-NA EUV设备。三星原计划引进4台High-NA EUV设备,但不排除减少2台的可能性。


三星将2027年实现1.4纳米制程作为重要的商用化目标,High-NA EUV设备将为其迈向1纳米级提供有力支持。

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