三星加速DRAM试产线建设,力图拉大存储器市场领先差距
来源:ictimes 发布时间:3 天前 分享至微信
据韩媒报道,三星电子为加速提升新一代产品生产良率,已开始在韩国平泽二厂(P2)建设10纳米级第七代DRAM(1d DRAM)试产线。
该试产线预计于2024年第四季度启动,2025年第一季度完工,用于测试半导体新品是否具备量产能力。
三星计划在完成1d DRAM试产线后,将紧接着量产第六代10纳米级DRAM(1c DRAM),并在2025年初以平泽四厂(P4)为中心,引进半导体设备,为1c DRAM的量产做准备。
业界认为,三星此举意在2025年积极扩大存储器领先差距,采取更积极的投资策略。
作为全球DRAM龙头,三星近期在备受关注的高带宽存储器(HBM)领域被竞争对手SK海力士追上,面临主力事业竞争力下滑的危机。
为重新夺回市场主导权,三星高层决定加速未来产品开发,新任半导体暨装置解决方案(DS)负责人全永铉被视为关键人物。他积极重整三星存储器事业,重建HBM开发小组,追赶SK海力士。
此外,三星也同时加速对NAND Flash进行投资,平泽一厂(P1)已设置业界首条堆叠400层3D NAND(V10)试产线,P4的NAND厂也引进堆叠286层(V9)设备。
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