三星电子在半导体市场正经历前所未有的挑战，尤其是在高带宽存储器（HBM）领域。随着代工业务的停滞，该公司的竞争力备受关注。业内人士透露，为了在HBM市场站稳脚跟，三星可能考虑重新设计部分1a DRAM电路。

原定于2024年第三季度向英伟达供应的HBM3E产品，目前面临质量测试的重大障碍。三星的8层产品尚未通过相关测试，12层产品的推出则可能推迟至2025年的第二或第三季度。

专家分析指出，三星的DRAM技术问题是HBM产品测试失败的主要原因之一。由于HBM技术依赖于多个垂直堆叠的DRAM芯片，其底层技术的稳定性直接影响最终性能。

三星自2020年起在DRAM制造中引入EUV（极紫外光）技术，尽管竞争对手SK海力士的采用方案相对保守，然而这一策略未能达到预期。EUV技术的引入在大规模生产中降低了工艺稳定性，进一步抑制了成本优势。

此外，三星在服务器DRAM设计方面的表现也不尽如人意，导致其推出服务器DDR5的时间晚于SK海力士。分析认为，三星需要对1a DRAM进行战略调整，以恢复在DRAM和HBM市场的竞争力。

三星设备解决方案（DS）部门负责人Jun Young-hyun最近在发布2023年第三季度初步业绩时表达了对业绩低于预期的歉意，并承诺将采取必要措施引导公司走出困境。

三星是否能通过HBM3E的质量认证或重新设计1a DRAM，关键在于其未来的决策。尽管此举可能需要至少六个月的时间，但在当前复杂的市场环境下，确保产品按时供应仍将是一项艰巨的任务。