日本NAND Flash制造商铠侠与中国台湾DRAM制造商南亚科技宣布合作，共同研发一项能将DRAM元件大小缩小至原来的2/3的基础技术。这是铠侠自2018年从东芝分拆以来，首次涉足DRAM技术领域。

据日经新闻及双方官网报道，新技术采用稀有金属铟等组成的氧化物IGZO作为材料，通过制程改进，强化了芯片整合架构，制作出氧化物半导体垂直通道晶体管。

这项技术预计将在2024年12月的国际电子元件会议上发表，有助于在单一基板上整合更多元件，提升记忆容量，降低电量耗用，并达到极低漏电流。

铠侠目前尚未拥有DRAM制造设备，但此次合作有望通过技术授权等方式促成与其他公司的合作，捕捉生成式AI等市场的商机。

新技术将满足AI设备、后5G通讯及物联网等领域对高存储器容量、节电与效能的日益增长需求。