日本NAND Flash制造商铠侠宣布将开发下一代存储器技术CXL，以适应人工智能（AI）的需求。铠侠前身是东芝存储器部门，已放弃DRAM生产，但仍在下一代存储器技术上持续投入，并获得日本政府补助金支持。
据铠侠数据，未来三年内将投入最多360亿日圆研发CXL技术，并获得日本经产省研究机构NEDO最高180亿日圆的补贴，目标在2030年代上半实现商业化。
随着后5G通讯系统时代的到来，数据中心服务器对存储器的要求日益提高，需要高速数据传输、大容量和低耗能等特性。铠侠正在开发的CXL存储器旨在满足这些需求，提升存储器的使用效率并降低耗能，同时在无电状态下保存大量数据。
铠侠计划拓展省电型AI存储器市场，以应对智能手机等装置上搭载的边缘AI市场中长期扩张的趋势。同时，铠侠还在研发其他存储器技术，如与南亚科技合作研发的下一代DRAM技术和与SK海力士合作研发的大容量交叉点MRAM技术。
若进展顺利，铠侠的CXL技术要到2030年之后才会正式商用化，届时将面临其他存储器大厂的竞争。但铠侠在NAND研制上的专业性和创新能力，使其有望在未来的市场竞争中占据一席之地。
