据《韩国经济新闻》报道称，韩国存储芯片巨头SK海力士将在2025年下半年推出定制化的第六代高频宽内存HBM4，这一突破性技术将采用台积电的3nm制程生产。

消息人士透露，SK海力士计划与台积电紧密合作，预计最快将于明年3月发布基于台积电3nm制程的垂直堆叠HBM4原型，主要面向英伟达等重要客户。

与现有的HBM3E产品不同，HBM4采用了“Logic Base Die”技术，这意味着内存将不再使用传统的DRAM基础裸片，而是结合了定制化设计的逻辑芯片。这个设计创新不仅能大幅提升性能，还将显著提高能效，有望将功耗降低至30%。

此外，Logic Base Die为客户提供了更大的设计自由度，使得数据处理更加高效，为AI加速器和GPU提供了更强的支持。

对于SK海力士而言，与台积电的合作是对三星4nm制程竞争的一次积极回应。考虑到台积电3nm制程的优势，SK海力士的HBM4无疑将在技术上领先于三星的产品，进一步巩固其在内存市场的竞争力。