SK海力士与台积电合作推动下一代内存技术创新
来源:ictimes 发布时间:2024-12-05 分享至微信

据《韩国经济新闻》报道称,韩国存储芯片巨头SK海力士将在2025年下半年推出定制化的第六代高频宽内存HBM4,这一突破性技术将采用台积电的3nm制程生产。


消息人士透露,SK海力士计划与台积电紧密合作,预计最快将于明年3月发布基于台积电3nm制程的垂直堆叠HBM4原型,主要面向英伟达等重要客户。


与现有的HBM3E产品不同,HBM4采用了“Logic Base Die”技术,这意味着内存将不再使用传统的DRAM基础裸片,而是结合了定制化设计的逻辑芯片。这个设计创新不仅能大幅提升性能,还将显著提高能效,有望将功耗降低至30%。


此外,Logic Base Die为客户提供了更大的设计自由度,使得数据处理更加高效,为AI加速器和GPU提供了更强的支持。


对于SK海力士而言,与台积电的合作是对三星4nm制程竞争的一次积极回应。考虑到台积电3nm制程的优势,SK海力士的HBM4无疑将在技术上领先于三星的产品,进一步巩固其在内存市场的竞争力。


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