三星电子正加快在下一代存储器技术领域的步伐，计划于11月中旬在韩国启动新的半导体技术研发园区。这一举措是三星电子到2028年投资约20万亿韩元（约合1026亿元人民币）计划的一部分，旨在推动内存、系统半导体和代工技术的发展。

新研发园区的建设将缩短新一代产品研发周期，提升半导体产品质量，为三星电子在1a DRAM、3D NAND Flash等新一代存储器产品的研发提供支持。三星电子希望将该综合体建设成为系统芯片的研究中心，并计划到2025年拥有独家装配线，以加速技术革新和推动行业技术进步。

新园区的启动不仅彰显了三星电子在全球半导体市场竞争中的决心和投资力度，也反映了公司对未来技术发展的长远规划。随着新园区的建设和运营，三星电子有望在下一代存储器技术的研发和商业化上取得更多突破，进一步巩固其在全球半导体行业中的领先地位。