近日，无锡市新吴区新洁能总部基地及产业化项目即将竣工投产。该项目总投资高达13.5亿元，占地面积约3.17万平方米，建筑面积在5.4至5.7万平方米之间。预计将于2024年底全面竣工并投入使用。

据悉，该项目投产后，预计年产碳化硅/氮化镓功率器件将达到2640万只，年产IC及智能功率模块（IPM）等功率集成模块14.52亿只，以及年产362.6万只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块（含车规级）。预计达产后可实现年产值16.66亿元，为公司带来可观的收益。

在产品方面，新洁能已经构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，并陆续推出了车规级功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC等产品。其中，SiC MOSFET和GaN HEMT作为新一代功率器件，具有高效能、低功耗等优势，市场前景广阔。

从业绩方面来看，新洁能在2024年上半年实现营收8.73亿元，同比增长15.16%；归母净利润2.18亿元，同比增长47.45%；归母扣非净利润2.14亿元，同比增长55.21%。