成都莱普科技股份有限公司的全国总部暨集成电路装备研发制造基地项目正在进行中，目前已进入内外装施工阶段，预计今年年底前完工，并计划在明年实现设备搬入及投产。

该项目位于成都市高新区，总投资额高达16.6亿元人民币，占地面积39亩，建筑面积达到6.5万平方米，自2023年10月开始建设，预计2025年5月前完成竣工验收，并在2026年5月全面达产。

项目建成后，将包括莱普科技的全国总部、技术中心、制造中心、服务中心以及核心零部件研发及产业化基地。同时，还将建设中科院半导体所成都半导体材料先进激光加工技术联合实验室及培训基地、四川省全固态先进激光工程技术研究中心等重要设施。

莱普科技自2003年成立以来，已经成为国内集半导体激光装备研发、制造、销售和服务为一体的领先厂商。公司在半导体晶圆制造、封装测试、精密电子制造等领域推出了三十余种激光应用专业设备，并拥有五十多项自主知识产权。在功率半导体领域，莱普科技的硅基IGBT激光退火设备及碳化硅欧姆接触激光退火设备已经优于进口厂家，销售至多家知名企业。

目前，莱普科技正在推进A股IPO进程，已完成第二期辅导，为公司的未来发展和市场扩张打下坚实基础。