近日，Resonac与Soitec正式宣布携手，共同致力于8英寸碳化硅键合衬底的研发与生产。

Soitec凭借其独有的SmartSiC™技术，在碳化硅领域展现了非凡的创新能力。该技术通过巧妙的键合工艺，将高质量的单晶碳化硅衬底与低成本的多晶碳化硅晶圆相结合，实现了生产效率与材料成本的双重优化。相比传统的单晶碳化硅衬底，SmartSiC™技术不仅能显著降低材料成本，还能提升晶圆的生产效率，为碳化硅材料的广泛应用奠定了坚实基础。

随着新能源汽车、光储充等下游应用领域的快速发展，对碳化硅晶圆的需求日益增长。8英寸碳化硅晶圆以其更大的可用面积和更高的芯片产出率，成为了业界公认的发展趋势。然而，长晶技术的瓶颈限制了8英寸碳化硅晶圆的成本降低。而Soitec的SmartSiC™技术正是破解这一难题的关键，它通过键合技术实现了高、低质量碳化硅衬底的集成利用，为8英寸碳化硅晶圆的量产铺平了道路。