美国国防部高级研究计划局(DARPA)委托雷神公司开发合成金刚石和氮化铝(AlN)半导体，以应对中国对镓供应的控制和出口限制。这些新型半导体材料将用于优化雷达和通信系统设备，如射频开关、限制器和功率放大器，提升其性能和范围。
合成金刚石和氮化铝因其宽带隙特性，有潜力在高频性能、高电子迁移率、极端热管理、更高功率处理和耐用性方面超越现有的氮化镓(GaN)。金刚石的带隙约为5.5 eV，而氮化铝的带隙更宽，约为6.2 eV，适合用于高性能应用。雷神公司将首先开发基于这些材料的半导体薄膜，然后进一步改进技术，以用于更大直径晶圆，特别是传感器应用。
合同要求雷神公司在三年内完成两个阶段的开发，凸显了项目的紧迫性。雷神公司在集成氮化镓和砷化镓(GaAs)到雷达应用方面拥有丰富经验。雷神公司先进技术总裁Colin Whelan表示，这是改变半导体技术的重要一步，公司将利用其在先进微电子领域的专业知识，使这些材料更加成熟，以适应未来应用的需求。
