为了降低对镓供应的依赖，近日，美国国防部下属的国防高级研究局（DARPA）委托雷神公司开发基于人造金刚石和氮化铝（AlN）的新型超宽带隙半导体。这项研究将为高功率和高频率的先进雷达和通信系统提供技术支持，推动相关领域的发展。

氮化镓（GaN）因其出色的性能而成为高频半导体的主流材料，然而其带隙为3.4 eV，面对更高频率和功率处理的需求时显得力不从心。人造金刚石作为新兴材料，具有5.5 eV的带隙，理论上能在高频性能和热管理方面超越GaN。但其生产尚处于实验阶段，尚未实现大规模应用。氮化铝则以约6.2 eV的带隙，成为理想的候选材料。

在DARPA的合同下，雷神的先进技术团队将分两个阶段进行研发。首阶段将聚焦于开发金刚石和氮化铝的半导体薄膜，二阶段则将致力于将其技术扩展到更大直径的晶圆，尤其在传感器应用方面。

雷神在集成GaN和GaAs于雷达系统中的经验为此项目增添了信心。雷神先进技术总裁Colin Whelan表示：“这将是半导体技术的一次重要进步。”