2024年9月24日，日本化学材料大厂Resonac与法国半导体材料巨头Soitec宣布合作，共同开发提高8寸磊晶碳化硅（SiC）晶圆生产效率的技术。

Resonac的磊晶SiC晶圆以高品质著称，但生产效率受限。Soitec则利用SOI晶圆技术开发出SmartSiC技术，通过在单晶SiC基板上贴合载板，实现多晶SiC晶圆的高效生产。SmartSiC技术不仅能提高生产及产品良率，还能降低产品制程碳排放70%。

随着电动车及自动化工业机器人的快速发展，SiC功率半导体市场需求激增。然而，SiC半导体产能有限，限制了其在高端产品中的应用，影响了电动车的推广和能源消耗。

为应对这一挑战，Resonac与Soitec签订合作契约，由Resonac提供SiC单晶材料，Soitec则利用SmartSiC技术制造单晶SiC基板及相关的SiC晶圆，共同提升全球SiC功率半导体的供货能力。