三星电子宣布已开始大规模生产1TB QLC第9代V-NAND，这一突破性进展巩固了其在高容量AI服务器存储市场的领先地位。新型QLC NAND闪存采用垂直堆叠存储单元结构，每个单元能存储4位数据，与前代产品相比，在数据写入速度上翻倍，功耗降低50%。

这一技术进步得益于AI学习对SSD需求的增长，三星通过持续创新，加强了其在高性能、高容量NAND市场的领导地位。今年4月，三星已量产第3代V-NAND，采用TLC技术，而QLC版本的推出进一步证明了公司在存储技术领域的创新能力。

市场预测显示，QLC NAND市场份额将在今年达到NAND闪存总出货量的20%，并在明年继续增长，主要受高性能、高容量存储设备需求推动。第9代V-NAND的性能优势来自其高效的存储单元垂直堆叠技术，通过预测存储单元状态变化减少不必要操作，实现数据写入性能100%提升和输入输出速度60%增长。

三星内存事业部执行副总裁Heo Seong-Hoi表示，公司在TLC第9代NAND量产仅四个月后，便成功实现QLC V-NAND的量产，完成了构建高性能、高容量AI SSD所需的完整最新产品阵容。这标志着三星在推动AI服务器存储技术革新方面迈出了重要一步。