三星电子量产1TB QLC第9代V-NAND,推动AI服务器存储技术
来源:ictimes 发布时间:2024-09-22 分享至微信
三星电子宣布已开始大规模生产1TB QLC第9代V-NAND,这一突破性进展巩固了其在高容量AI服务器存储市场的领先地位。新型QLC NAND闪存采用垂直堆叠存储单元结构,每个单元能存储4位数据,与前代产品相比,在数据写入速度上翻倍,功耗降低50%。
这一技术进步得益于AI学习对SSD需求的增长,三星通过持续创新,加强了其在高性能、高容量NAND市场的领导地位。今年4月,三星已量产第3代V-NAND,采用TLC技术,而QLC版本的推出进一步证明了公司在存储技术领域的创新能力。
市场预测显示,QLC NAND市场份额将在今年达到NAND闪存总出货量的20%,并在明年继续增长,主要受高性能、高容量存储设备需求推动。第9代V-NAND的性能优势来自其高效的存储单元垂直堆叠技术,通过预测存储单元状态变化减少不必要操作,实现数据写入性能100%提升和输入输出速度60%增长。
三星内存事业部执行副总裁Heo Seong-Hoi表示,公司在TLC第9代NAND量产仅四个月后,便成功实现QLC V-NAND的量产,完成了构建高性能、高容量AI SSD所需的完整最新产品阵容。这标志着三星在推动AI服务器存储技术革新方面迈出了重要一步。
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