三星宣布成功量产全球首款1Tb QLC第九代V-NAND闪存，引领行业技术革新。

该闪存采用多项新技术，如通道孔蚀刻提升存储密度86%，设计模具优化数据保留率20%，预测程序减少功耗，读写功耗分别降低30%和50%。这些技术使得QLC V-NAND在存储密度、能效和可靠性上均取得显著提升。

三星电子执行副总裁SungHoi Hur表示，继TLC版本后仅四月，QLC第九代V-NAND即实现量产，标志着三星能提供更全面的SSD解决方案，满足AI时代对数据存储的更高要求。

随着企业级SSD市场与AI应用的蓬勃发展，三星将依托其QLC与TLC第九代V-NAND技术，持续巩固市场领导地位，推动数据存储技术的进一步发展。

未来，这些先进存储器将广泛应用于消费级、服务器SSD及移动设备UFS存储等领域。