三星电子宣布，其首款1TB四层单元（QLC）第九代V-NAND已正式量产，标志着公司在高容量、高性能NAND闪存市场的领导地位进一步巩固。继今年四月启动三层单元（TLC）第九代V-NAND量产后，三星迅速推进QLC技术，以满足人工智能时代对存储解决方案的需求。

三星电子执行副总裁SungHoi Hur表示，公司在短短四个月内实现了从TLC到QLC的跨越，展现了三星在提供完整SSD解决方案方面的实力。随着企业级SSD市场对AI应用需求的增长，三星计划将QLC第九代V-NAND的应用范围扩展至移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，服务包括云服务提供商在内的广泛客户。

技术突破方面，三星采用了通道孔蚀刻技术，在双堆栈架构下实现了业界最高的单元层数，存储密度较上一代QLC V-NAND提升了约86%。预设模具技术通过调整存储单元的字线间距，确保了存储单元特性的一致性，提升了数据保存性能约20%。预测程序技术使写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升60%。低功耗设计技术则通过降低电压和优化位线感测，使数据读取功耗显著下降。

三星的这一举措不仅展现了其在存储技术领域的创新能力，也为AI时代的数据存储提供了强有力的支持，预示着未来存储解决方案将更加高效、可靠。随着QLC第九代V-NAND的量产，三星电子在推动存储技术发展的同时，也为全球客户提供了更多样化的选择。