三星电子近日宣布成功量产1Tb QLD V9 NAND Flash，专为高容量服务器SSD设计，旨在抢占AI市场先机。

继TLC V9 NAND后，三星再次推出QLC版本，其每个单元可存储4位数据，显著提升存储容量，成为AI和服务器领域的焦点。

QLD V9 NAND采用三星独家通道孔蚀刻技术和双堆叠结构，实现业界最高层数，单位面积存储容量较V8提升约86%。

通过缺省模具技术，三星确保了存储单元特性的一致性，数据保存效能提升20%。同时，预测程序技术使写入效能翻倍，数据I/O速度提升60%，而低功耗设计则大幅降低了数据读写的能耗。

三星表示，从TLC V9到QLD V9 NAND的量产仅用时4个月，展现了其技术实力和市场响应速度。这一最新产品将满足AI高效能、高容量SSD的需求，巩固三星在企业SSD市场的领导地位，并计划逐步拓展至移动UFS、PC及服务器SSD等领域。