2023年9月17日，日本碍子株式会（NGK）在官方网站上宣布，他们成功研发出直径为8英寸的碳化硅（SiC）晶圆。这项创新成果将在本月低举行的ICSCRM 2024展会上首次亮相，届时将吸引众多业内关注。

日本碍子自1919年成立以来，一直致力于各种工业用陶瓷及电子设备的研发与生产。此次新研发的8英寸SiC晶圆将为功率器件的生产带来显著的优势，特别是在提升器件的产量和可靠性方面。公司还将分享其在多种衬底上生长低BPD密度4H-SiC单晶的新方法，这一技术的突破将大幅降低SiC衬底中的缺陷密度。

此外，日本碍子在氮化镓（GaN）领域也积极布局，早在2012年就成功制造出基于GaN晶圆的LED元件，显示出其在半导体行业的深厚积累。目前，公司正致力于开发新型射频和功率器件，并探索更大直径晶圆的量产结构。

日本碍子的这些技术进步不仅体现了其在半导体领域的创新能力，也为未来电子产品的高效能发展奠定了基础。随着公司在SiC和GaN领域的不断推进，预计将为全球半导体产业带来更多可能性，推动行业迈向新的高峰。