据报道，苹果计划在未来iPhone等移动产品中引入VCS技术，以应对智能终端时代的需求。三星电子和SK海力士正积极研发新一代存储器，将HBM概念应用于移动领域，引起业界关注。
三星半导体专家姜云炳透露，三星将于2024年12月发布首款VCS DRAM样品，该技术通过铜线将LPDDR垂直堆叠并封装于手机应用处理器上，旨在缩短数据传输距离，提升AI功能执行速度。SK海力士也在研发类似技术VFO，预计两家公司将于2026年量产。
姜云炳指出，VCS DRAM是应苹果等手机业者要求而开发的技术，旨在提升智能终端的数据处理能力。与HBM不同，VCS和VFO在结构上有所差异，且LPDDR DRAM的堆叠难度可能更高。
业界分析认为，随着智能终端市场的快速发展，移动DRAM有望成为新的增长动力，并可能逐步向订单型产品转变，从而改变存储器市场的供需格局。苹果此举旨在逆转AI竞争中的落后局面，并重新构想AP设计以适应新技术。
