英飞凌突破12寸GaN晶圆生产,成本望近矽芯片
来源:ictimes 发布时间:6 天前 分享至微信

英飞凌宣布成功产出12寸氮化镓(GaN)晶圆,其容量较8寸晶圆提升2.3倍,有望显著降低GaN产品成本至矽芯片水平,加速GaN在AI等领域的普及。


这一突破在奥地利菲拉赫的功率晶圆厂实现,英飞凌成为全球首家在现有量产环境中掌握此技术的企业。


英飞凌计划2025年底向客户提供样品,随后在菲拉赫量产。CEO Jochen Hanebeck表示,公司致力于成为GaN市场引领者,预计未来几年GaN芯片价格将接近矽芯片。


随着AI数据中心建设和智能汽车发展,对先进功率芯片需求激增。英飞凌预测,至2020年代末,全球GaN芯片市场规模将超过23亿美元。


摩根大通分析师认为,英飞凌在GaN制造领域的创新将助其成为市场领导者,但量产或需等到2027年。

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