9月11日英飞凌科技宣布重大突破，成功研发全球首批12寸氮化镓（GaN）功率半导体晶圆，标志着在大规模生产环境中GaN技术的飞跃。CEO Jochen Hanebeck手持这一里程碑产品，展示了英飞凌的创新实力。

12寸晶圆相比8寸，芯片数量激增2.3倍，生产效率显著提升，为GaN功率半导体市场注入强劲动力。该技术广泛应用于工业、汽车、消费、运算及通讯领域，提升效率、减小体积、降低成本，推动终端产品革新。

英飞凌在奥地利菲拉赫工厂利用现有矽生产设备，成功试产12寸GaN晶圆，展现其资源整合与创新能力。随着市场需求增长，英飞凌计划进一步扩大GaN产能，预计到2030年，GaN市场规模将突破数十亿美元。

英飞凌的这一成就不仅巩固了其在电源系统和物联网半导体领域的领导地位，还通过成本效益更高的产品满足全球客户需求，推动低碳化与数字化进程。在即将举行的慕尼黑电子展上，英飞凌将首次公开这批12寸GaN晶圆，向全球展示其技术领先性。