8英寸碳化硅领域,中国取得多项关键突破
来源:ictimes 发布时间:2024-09-10 分享至微信
近日,中国在8英寸碳化硅技术领域取得了显著进展,预示着8英寸碳化硅时代的到来。
中国电科48所成功升级了8英寸碳化硅外延设备,提高了生产效率和产品良率,同时降低了成本。三义激光交付了首批6&8英寸碳化硅激光滚圆设备,这些设备采用高能激光束进行精准加工,提升了生产效率和产品良率。上海汉虹成功制备了直径达200毫米、符合高端应用要求的8英寸碳化硅晶体,为新能源汽车和5G通讯等领域的发展提供了材料基础。
此外,天岳先进在8英寸碳化硅衬底的批量销售方面取得了突破,公司2024年上半年营业收入同比增长超过100%,并实现了归母净利润的扭亏为盈。天岳先进在技术研发上实现了2-8英寸碳化硅单晶和衬底的开发,并在液相法长晶技术上取得了阶段性成果。公司还在上海临港工厂推进8英寸碳化硅衬底的扩产计划,以满足市场需求。
这些突破不仅展示了中国在碳化硅技术领域的快速发展,也为全球半导体产业的发展贡献了重要力量。随着更多厂商加入8英寸碳化硅产品的技术研发和市场推广,预计将进一步推动该领域的技术进步和产业应用。
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