ictimes消息，据最新报道，三星电子和SK海力士正在积极研发一种新型低功耗DRAM技术——移动HBM（高带宽内存），预计于2026年左右推向市场。这项技术将对智能设备的内存应用产生深远影响。

移动HBM旨在通过堆叠多个LPDDR DRAM层，并以低功耗方式提升内存带宽，与现有HBM技术类似，但更适合移动设备的需求。三星正在开发的“VCS”（Vertical Cu Post Stack）技术，将允许内存单封装的位宽高达512bit，相比于LPDDR5的64bit，实现了显著的性能提升。此技术不仅能提供8倍的I/O密度和2.6倍的带宽，还能在生产效率上提升9倍。

与此同时，SK海力士的“VFO”技术结合了FOWLP（晶圆级封装）和DRAM堆叠，通过优化电信号传输路径，提高能效，同时减少封装厚度。虽然这种技术在散热方面稍有增加，但整体能效提升了4.9%。

随着AI技术和智能设备的普及，HBM的应用前景十分广阔。SK海力士的HBM2E已经在Waymo自动驾驶汽车中应用，为汽车内存需求开辟了新的市场。预计未来HBM将在更多消费电子产品中实现突破，成为市场的新趋势。

这些创新技术不仅代表了内存技术的前沿发展，还可能引领未来智能设备的内存应用新潮流。三星和海力士的努力，将极大提升移动设备的性能和能效，为用户带来更佳的使用体验。