国家第三代半导体技术创新中心（南京）宣布，经过四年的潜心研发，他们成功攻克了沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术难题，这一成就不仅打破了平面型碳化硅MOSFET芯片的性能瓶颈，更是我国在该领域的首次重大突破。

碳化硅，作为第三代半导体材料的佼佼者，以其独特的物理特性在电力电子领域展现出巨大潜力。然而，传统的平面型碳化硅MOSFET芯片虽工艺简单，却面临通态电阻高、寄生电容大等挑战。相比之下，沟槽型结构通过优化沟道设计，实现了更低的导通电阻和更高的元胞密度，但其复杂的制备工艺也一直是行业难题。

南京的创新团队迎难而上，针对碳化硅材料的高硬度特性，他们精心设计了全新的工艺流程，成功解决了“挖坑”难、稳、准的问题，实现了沟槽型碳化硅MOSFET芯片的高效制造。这一成果不仅将芯片的导通性能提升了约30%，更为后续的产品开发和应用推广奠定了坚实基础。